Microprocesador de múltiples capas 0806 1206 protección contra sobrecargas del varistor del varistor de los MOVIMIENTOS 175V
Datos del producto:
Lugar de origen: | Dongguan, Guangdong, China |
Nombre de la marca: | AMPFORT |
Certificación: | UL,ROHS,REACH |
Número de modelo: | QV0604P271KTRA |
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: | 2000PCS |
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Precio: | Negotiable |
Detalles de empaquetado: | Cinta, 2K por carrete |
Tiempo de entrega: | 2 semanas |
Condiciones de pago: | T/T, PayPal, unión occidental |
Capacidad de la fuente: | 100.000.000 pedazos por mes |
Información detallada |
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Nombre de producto: | Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas 0806 | TAMAÑO: | 0806 |
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VAC: | 175V | VDC: | 225V |
Voltaje del varistor: | el 270V±10% | Vc: | 450V |
Temporeros de funcionamiento: | -40~+125℃ | MPQ: | Cinta, 2K por carrete |
Resaltar: | Varistor de múltiples capas de los movimientos del microprocesador,varistor de 0806 1206 movimientos,protección contra sobrecargas 175Vvaristor |
Descripción de producto
Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas 0806 1206 1210 1812 para el circuito de poder del LED
Descripción de Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas
El varistor de múltiples capas del microprocesador es un SMD empaquetó el varistor. Se hace de tecnología de cerámica monolítica de múltiples capas de la estructura y del semiconductor. Tiene pequeña inductancia parásita, la eficacia tamaño pequeño, alta de SMT, el tiempo de respuesta corto, la alta temperatura de funcionamiento, y protección la ventaja de la capacidad fuerte. Se aplica a la protección del poder de los esquemas lineares de alto voltaje de la impulsión del LED, y suprime la sobreintensidad de corriente transitoria causada por la oleada de la rejilla, cortocircuito o sobrecarga en la iluminación del LED, así como sobretensión transitoria causada por fluctuaciones del voltaje de rejilla y la transferencia de la carga inductiva, incluyendo IEC61000 -4-2, IEC61000-4-5 y otros acontecimientos transitorios usados en estándares de la compatibilidad electromágnetica (EMC).
Actualmente, la industria del LED ha comenzado a adoptar las soluciones lineares de alto voltaje integradas optoelectrónicas para las diversas lámparas de filamento más pequeñas, las lámparas del bulbo, las lámparas planas, el etc. Los componentes electrónicos y las gotas de la lámpara se integran en el substrato de aluminio al mismo tiempo, así que significa que todos los componentes deben ser remendados. Por lo tanto, el varistor como un dispositivo de protección debe también adoptar componentes de SMD. La original produjo en masa el varistor laminado del microprocesador conveniente para el LED que encendía la protección de la corriente ALTERNA, de 0604 a 1812, tiene las características del grueso fino, del pequeño volumen, y del flujo grande. Puede substituir el varistor enchufable. , Con el fusible, resistor, pila del puente, puede resolver la prueba combinada de la onda sobre 1KV, que es bastante para cubrir las necesidades de la protección del LED.
Características de Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas
* tipo de SMD conveniente para el montaje de alta densidad
* ratio de fijación con abrazadera excelente y capacidad fuerte de la supresión de la oleada del voltaje
* varistor de alto voltaje, conveniente para el circuito de la CA
* el pequeño remiendo de SMD, ahorra el espacio y facilitar la producción;
* la alta supresión de la oleada, la capacidad de la oleada del mismo volumen es mucho mayor que las TV;
* funcionamiento de alta temperatura estable, el ningún reducir la capacidad normal en 125°C;
* salida baja IL actual<5>
* no-polaridad bidireccional, voltaje del límite bajo;
* mejor que el grado de la inflamabilidad UL94V-0;
* cumpla con estándares de la protección del medio ambiente de RoHS
Usos de Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas
* utilizado para la fuente de alimentación, interfaz de red, iluminación del LED.
* capaz de substituir la pieza del varistor plomado.
Tamaño de Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas (milímetros)
Tipo | L (milímetro) | W (milímetro) | T (milímetro) | a (milímetro) |
0806 | 2,2 +0.2/-0.2 | 1,8 +0.2/-0.2 | 2,0 máximo. | 0.50±0.30 |
1206 | 3,2 +0.6/-0.4 | 1,8 +0.2/-0.2 | 2,0 máximo. | 0.50±0.30 |
1210 | 3,2 +0.6/-0.4 | 2,5 +0.4/-0.2 | 2,6 máximo. | 0.50±0.30 |
1812 | 4,5 +0.6/-0.2 | 3,2 +0.5/-0.2 | 3,5 máximo. | 0.60±0.30 |
Parte | 1 | 2 | 3 |
Componente | Semiconductor de ZnO Cerámica para Chip Varistor |
Interno Electrodo (AG o AG-paladio) |
Electrodo terminal (Ag/Ni/Sn tres capas) |
Características eléctricas de Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas
Número de parte. | Voltaje de trabajo máximo (V) | Varistor Voltaje |
Max. Clamping Voltage | Operación Ambiente Temperatura |
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(v) | (8/20μs) | |||||
CA | DC | V1mA | Vc (V) | Ic (A) | ||
QV0604P271KTRA | 175 | 225 | el 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
QV0604P431KT300 | 275 | 300 | el 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
QV0805P271KT151 | 175 | 225 | el 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
QV0805P431KT500 | 275 | 350 | el 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
QV0806P241KT201 | 150 | 200 | el 240±10% | 395 | 1 | -40~+125℃ |
QV0806P271KT201 | 175 | 225 | el 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
QV0806P431KT101 | 275 | 350 | el 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
QV1206P241KT351 | 150 | 200 | el 240±10% | 395 | 1 | -40~+125℃ |
QV1206P271KT301 | 175 | 225 | el 270±10% | 450 | 1 | -40~+125℃ |
QV1206P431KT201 | 275 | 350 | el 430±10% | 705 | 1 | -40~+125℃ |
QV1206P471KT201 | 300 | 385 | el 470±10% | 775 | 1 | -40~+125℃ |
QV1206P511KT101 | 320 | 410 | el 510±10% | 850 | 1 | -40~+125℃ |
Método del paquete de Chip Metal Oxide Varistor de múltiples capas
Cinta en carrete
Tipo | Cinta | Cantidad (PC/carrete) |
0806 | Cinta grabada en relieve | 2000 |
1206 | 2000 | |
1210 | 1500 | |
1812 | 3000 |