• Caja metálica dependiente de la luz del resistor de PIR Sensor Module 8m m del OHMIO de la caja metálica 10K
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Caja metálica dependiente de la luz del resistor de PIR Sensor Module 8m m del OHMIO de la caja metálica 10K

Caja metálica dependiente de la luz del resistor de PIR Sensor Module 8m m del OHMIO de la caja metálica 10K

Datos del producto:

Lugar de origen: Dongguan, Guangdong, China
Nombre de la marca: AMPFORT
Certificación: ROHS
Número de modelo: LXD8516

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 100 pedazos
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: A granel, 40Pcs/bag, 5Bag/Box = 200Pcs, 2000PCS = caja 10 = bolso 20 = 1 cartón
Tiempo de entrega: 7-10 días laborables
Condiciones de pago: T/T, PAYPAL
Capacidad de la fuente: 10.000.000 pedazos por mes
Mejor precio Contacto

Información detallada

Nombre: LDR dependiente de la luz del resistor 8m m Vivienda: Metal
Diámetro de Norminal: 8m m Gama de temperaturas ambiente: -30~+70℃
Resistencia ligera (en 10lux): 4~10 KΩ Resistencia oscura (en 0 lux/minuto): MΩ
Valor gamma (en 100-10lux): 0,6 Disipación de poder (en 25℃): 100mW
Max Voltage (en 25℃): 150VDC Pico de la respuesta espectral (en 25℃): 560Nm
Alta luz:

Caja metálica PIR Sensor Module

,

10K OHMIO PIR Sensor Module

,

resistor dependiente de la luz de 8m m

Descripción de producto

LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora del fotorresistor de la caja metálica 8m m

USOS TÍPICOS Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m


* flash auto para las cámaras

* control fotoeléctrico

* control de luz de sitio

* control de luz de sitio
* Photomusical I.C.

* control industrial

* Photoswitch

* juguetes electrónicos

Descripción Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

Las células fotoconductoras de los Cdes son un resistor que hizo del material del semiconductor, y el cambio de la conductancia con el variationg de la luminancia. El canbe de las células fotoconductoras de los Cdes manufacturado con diversas figuras y el área iluminada basadas en las células fotoconductoras de este characteristic.CdS es ampliamente utilizado en muchas industrias, tales como juguetes, lámparas, cámara, etc.

Características Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

* de epoxy encapsulada
* respuesta rápida
* tamaño pequeño
* alta sensibilidad
* funcionamiento de Rebliable
* buena característica del espectro

CHARACTERICTICS ELECTRÓPTICO Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

Parámetros Characterictics Unidades
Resistencia ligera (en 10lux) 4-10 KΩ
Resistencia oscura (en 0 lux/minuto) 0,5 MΩ
Valor gamma (en 100-10lux) 0,6 r
Disipación de poder (en 25℃) 100 MW
Max Voltage (en 25℃) 150 VDC
Pico de la respuesta espectral (en 25℃) 560 nanómetro
Gama de temperaturas ambiente -30~+70
Tiempo de respuesta Aumento ms 20
Tiempo de respuesta Disminución ms 30


Información componente Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

Nombre componente ROSH Aviso
Capa de la resina --
Cdes NO Composición que 100 PPM
Electrodo --
Substrato de cerámica --
Terminal de la ventaja --

DIBUJO ESQUEMÁTICO Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

Caja metálica dependiente de la luz del resistor de PIR Sensor Module 8m m del OHMIO de la caja metálica 10K 0

ESQUEMA Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m (unidad: milímetro)

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La especificación de la serie del metal encajonó el CDS

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Modelo P/N Voltaje del máximo

Temporeros del ambiente

Espectral máximo

Luz

Resistencia

Resistencia oscura

100/10

Respuesta

tiempo

(nanómetro) Ev=10Lux @2856°K Ev=0Lux ms
(VDC) (KΩ) (MΩ) Tiempo de subida Tiempo de caída
TO-18 LXD4526 150 -30~+70 550 8-20 0,5 0,6 30 30
LXD4537 150 -30~+70 550 18-50 2 0,7 30 30
LXD4548 150 -30~+70 550 45-140 5 0,8 30 30
6 M LXD6516 150 -30~+70 550 5-10 0,5 0,6 30 30
LXD6528 150 -30~+70 550 8-20 4 0,7 20 30
LXD6537 150 -30~+70 550 18-50 10 0,75 20 30
LXD6548 150 -30~+70 550 45-140 20 0,85 20 30
TO-5 LXD8516 150 -30~+70 560 5-10 0,5 0,5 20 30
LXD8528 150 -30~+70 560 8-20 2 0,7 20 30
LXD8638 150 -30~+70 560 30-50 5 0,8 20 30
LXD8649 150 -30~+70 560 45-140 10 0,8 20 30
TO-8 LXD12528 250 -30~+70 560 8-20 2 0,6 20 30
LXD12537 250 -30~+70 560 18-50 5 0,7 20 30
LXD12549 250 -30~+70 560 45-140 10 0,8 30 30

RESPUESTA ESPECTRAL Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

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ILLUNINANCE contra la RESISTENCIA de FOTO Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

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CONDICIONES de PRUEBA Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

Resistencia ligera
Resistencia oscura
Resistencia ligera: Una fuente de luz (2856k) en 10Lux
Resistencia oscura: data@10sec, después de cortar el r=Lg de la luz 10Lux (R10/R100)
Realizable
Cambio de Tempture
Prueba
Tempture de la altura:: 70℃±5℃
Tiempo: los 30M
Luz de Incideng: colocación oscura
Tiempo de prueba: 24hr
Tempture bajo:: - 30℃±5℃
Tiempo: 30min
Luz de incidente: sobre la oscuridad que coloca como a recicle, probando tiempo: 24hr
Realizable
Constant Tempture
Prueba
Tempture: 40±5℃
Humedad: 90-95%
Luz de incidente: colocación oscura
Tiempo de prueba: 48hr
Realizable
Ventaja alto Tempture
Prueba
En la raíz de la ventaja 90 grados que curvan, 5m m sobre la raíz, cargando
carga 100g
Tempture de soldadura:: 260℃
Tiempo de calentamiento: Max.35, distancia entre la soldadura y base: 5m m
Realizable

Paquete Del LDR dependiente de la luz del resistor de la célula fotoconductora 8m m

A granel, _> 40Pcs /bag- > 5Bag/Box = 200Pcs 2000PCS = caja 10 = bolso 20 = 1 cartón

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Quiere saber más detalles sobre este producto
No input file specified. Caja metálica dependiente de la luz del resistor de PIR Sensor Module 8m m del OHMIO de la caja metálica 10K ¿podría enviarme más detalles como tipo, tamaño, cantidad, material, etc.?
¡Gracias!
Esperando su respuesta.